ДИСЛОКАЦИИ В КРИСТАЛЛАХ

— линейные участки кристаллических структур, в которых атомы или ионы в своем взаимном расположении отклоняются от геометрической закономерности идеальной решетки. Подразделяются на краевые и винтовые. Дислокации влияют на физ. свойства к-лов (электрическую проводимость, магнитное сопротивление, теплопроводность и др.). Выявление дислокации осуществляется посредством термического, хим., электролитического травления, декорирования (введения примесей, осаждающихся на дислокациях), электронной микроскопии и др. На основе учения о Д. в к. создана теория роста несовершенных к-лов (Бартон, Кабрера, Франк, 1949).

Геологический словарь: в 2-х томах. — М.: Недра.Под редакцией К. Н. Паффенгольца и др..1978.